초록 close

본 연구에서는 치과용 임플란트 재료로서 널리 이용되고 있는 순 타이타늄의 표면구조를 골유착에 유리하도록 변화시키기 위해 1 wt % NH4F와 20 wt % H2O를 함유하는 glycerol 전해질 수용액에서 주기 0.01 ms, 전압 20 V의 펄스형 DC 전원을 전류밀도 20 mA/cm2의 조건에서 40분 동안 인가하여 양극산화처리한 다음 유사체액 중에서 HA 석출및 조골세포의 부착성을 조사하였다. 양극산화처리한 표면에서는 평균 직경 97.4±17.6 nm의 나노튜브들 사이 공간에평균 직경 40.8±15.2 nm의 나노튜브들이 생성된 양상을 보였다. 양극산화처리한 TIO2 나노튜브 층에서 F의 농도는상대적으로 높게 나타났지만 500 ℃에서 2시간 동안 열처리한 후 제거되었다. TiO2 나노튜브층의 표면활성도는 인산염과 칼슘 이온을 함유하는 수용액 중에서의 전석회화 처리로 개선되었다. 조골세포 MC3T3-E1의 부착성은 순 타이타늄에 비해 전석회화처리한 TiO2 나노튜브 표면에서 개선되었다.