초록 close

본 연구에서는 스텝 어닐링 처리된 n형의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 각 각 저온소자와 고온소자로 나누어 제조한 후 그 전기적 특성을 비교 분석하였다. 저온소자의 결정입자가 고온소자에 비해 크게 형성되어 있었으며, 이로 인해 스텝어닐링 처리된 저온소자의 off전류, on전류, 전달특성 값, 문턱전압 및 전자이동도가 모두 고온소자에 비해 높은 값을 나타내었다. 특히 저온소자가 갖는 높은 off전류로 인해 저온소자의 결정입자의 크기에도 불구하고 저온소자의 결정결함이 더 많음을 확인할 수 있었으며, 저온소자의 결정결함에 의존한 off전류의 증가로 on/off전류비가 저하가 발생되었음을 확인할 수 있었다.


In this paper, experimental analyses have been performed to compare the electrical characteristics of n channel LT(low temperature) and HT(high temperature) poly-Si TFTs(polycrystalline silicon thin film transistors) on quartz substrate according to activated step annealing. The size of the particles step annealed at low temperature are bigger than high temperature poly-Si TFTs and measurements show that the electric characteristics those are transconductance, threshold voltage, electric effective mobility, on and off current of step annealed at LT poly-Si TFTs are high more than HT poly-Si TFT`s. Especially we can estimated the defect in the activated grade poly crystalline silicon and the grain boundary of LT poly-Si TFT have more high than HT poly-Si TFT`s due to high off electric current. Even though the size of particles of step annealed at low temperature, the electrical characteristics of LT poly-Si TFTs were investigated deterioration phenomena that is decrease on/off current ratio depend on high off current due to defects in active silicon layer.