초록 close

DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 ITO 박막을 형성하였다. 박막 형성 시 스퍼터 전압을 변화시켜 음이온에 의한 손상을 최소화 하였으며, 또한 기판온도와 산소유입량을 변화시켜 비저항 1.6×10 -4 Ωcm, 광투과도 90 % 이상의 값을 갖는 양질의 박막을 형성할 수 있었다. 박막 형성 시 O2 가스의 유량이 4 sccm 이상으로 산소공급이 과다할 경우는 ITO 박막의 비저항이 증가하고, 광 투과도가 포화됨을 알 수 있었다.


High quality indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by DC magnetron sputtering technique. By controlling the deposition parameters such as substrate temperature and oxygen flow rate, we were able to minimize the negative ion damage during the deposition. Films prepared under such conditions were found to posses an excellent electrical resistivity of 1.6×10-4 Ωcm and also found to have a optical transmission above 90 %. We also observe that, increasing the oxygen flow rate above 4 sccm leads to an increase in electrical resistivity of the films while the transmission was found to saturate with the increase in the oxygen gas flow.