초록 close

실리콘 웨이퍼 표면에 기계적인 손상을 가한 후 산화 열처리 공정을 실시하면 온도와 기계적인 손상의 크기에 따라 여러 가지 결정 결함이 발생된다. 기계적인 손상이 크고 열처리 온도가 증가함에 따라 dislocation loop 등의 대형 결 함들이 발생되고 열처리 온도가 낮거나 손상의 크기가 작을수록 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults) 등의 소형 결함들 이 많이 발생된다. Minority carrier lifetime을 측정하여본 결과 결함의 크기가 작을수록 minority carrier lifetime이 높은 것으 로 밝혀졌다. 더욱이 dislocation loop 등의 결정 결함보다는 결함 발생 이전 단계인 strained layer등이 금속불순물에 대한 gettering의 효과가 더욱 높음을 알 수 있었다.y?R2;


Various kind of structural defects are observed to be present on the oxidized surface of the silicon crystal whichwas previously damaged mechanicaly. The formation of such defects was found to depend on the amount of damageinduced and the temperature of thermal oxidation. It was confirmed by the measurement of minority carrier life time thatof damage or lower oxidation temperature believed to has higher capability of getering over defects like dislocation lopsor stacking faults.Key words Defects, Strained layer, Silicon crystal, Gettering