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Al이 첨가된 ZnO(ZnO : Al) 박막과 F이 첨가된 ZnO(ZnO : F) 박막을 sol-gel 법을 이용하여 glass 기판위에 코팅 하였다. 공통적으로 (002)면의 c-축 배향성을 보였지만 I(002)/[I(002) + I(101)]와 FWHM(full width at half-maximum) 값은 차이를 보였다. 특히 입자크기에 있어서는 ZnO : Al 박막에서 첨가농도가 증가함에 따라 입자크기가 감소한 반면 ZnO : F 박막에서는 F 3 at%까지 입자크기가 증가하다가 그 이후로 다시 감소하는 경향을 보였다. 전기적 성질의 측정을 위해서 Hall effect measurement를 이용하였는데 ZnO : Al 박막의 경우 Al 1 at%에서 비저항이 2.9×10.2 Ωcm 이었고 ZnO : F에서는 F 3 at%에서 3.3×10.1 Ωcm의 값을 보였다. 또한 ZnO : F 박막은 ZnO : Al 박막에 비해서 캐리어 농도는 낮았지만(ZnO : Al 4.8×1018 cm.3, ZnO : F 3.9×1016 cm.3) 이동도에 있어서 상당히 큰 값(ZnO : Al 45 cm2/Vs, ZnO : F 495 cm2/Vs)을 보였다. 가시광선 영역에서의 평균 광투과도에 있어서는 ZnO : Al 박막에서 86~90 %의 값을 보였지만 ZnO : F에서는 77~85 %로 상 대적으로 낮은 광투과도를 나타내었다.0


Al-doped and F-doped ZnO (ZnO : Al & ZnO : F) thin films were coated onto glass substrate by sol-gel method.These films showed c-axis orientation in comon, but diferent I(002)/[I(002) + I(101)] and FWHM (full width at half-maximum). In particular, the grain size of the ZnO : Al films decreased with the increase in the Al-doping concentration,effect measurement was used. The resistivity of the ZnO : Al films and the ZnO : F films were, respectively, 2.9 × 102Ωcm at Al 1 at% and 3.3 × 101 Ωcm at F 3 at%. Moreover, compared with ZnO : Al films, ZnO : F films have lowercarier concentration (ZnO : Al 4.8 × 1018 cm3, ZnO : F 3.9 × 1016 cm3) and higher mobility (ZnO : Al 45 cm2/Vs, ZnO : F495 cm2/Vs). For average optical transmittances, ZnO : Al thin films have 86~90 % and ZnO : F films have 77~85 %comparatively low.Key words Sol-gel.. .. Al. F. ... ZnO ...... .. . ... ....... ..... ...†..... ....... , .. , 702-701(2005. 12. 26. .. )(2006. 1. 13. .... ). . Al. ... ZnO(ZnO : Al) ... F. ... ZnO(ZnO : F) ... sol-gel .. .... glass .... ..... . ..... (002).. c-. .... .... . FWHM(full width at half-maximum) ..