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GaAs1-xNx의 전도띠 바닥전자상태의 특성을 Ge 기판위에 성장시킨 GaAs1-xNx(x≤0.7) 박막에 대한 공명라만산란 실험을 수행함으로써 조사하였다. LO(longitudinal optical)-phonon 라만세기의 강한 공명상승이 E+ 뿐만 아니라 E0 전이에너지 근처에서 관측되었다. 그러나 E+ 전이에너지 아래와 근처에서 관측되는 분명한 LO-phonon 선폭 공명상승과 다양한 X와 L 영역경계 (zone-boundary) phonon의 활성화와는 대조적으로, E0 전이에너지 근처에서는 어떠한 LO-phonon 선폭 확장공명이나 날카로운 영역경계 phonon의 활성화가 관측되지 않았다. 관찰된 공명라만산란 결과는 GaAsN의 전도띠 바닥전자상태가 비국소화된 bulk GaAs와 거의 흡사한 Γ대칭 상태로 구성되었다는 사실을 의미한다.


The symmetry of the conduction-band minimum of GaAs1-xNx is probed by performing resonant Raman scattering (RRS) on thin layers of GaAs1-xNx(x≤0.7) epitaxially grown on Ge substrates. Strong resonance enhancement of the LO(longitudinal optical)-phonon Raman intensity is observed with excitation energies near the E0 as well as E+ transitions. However, in contrast to the distinct LO-phonon line-width resonance enhancement and activation of various X and L zone-boundary phonons brought about slightly below and near the E+ transition, respectively, we have not observed any resonant LO-phonon line-width broadening or activation of sharp zone-boundary phonons near the E0 transition. The observed RRS results reveal that the conduction-band minimum of GaAsN predominantly consists of the delocalized GaAs bulk-like states of Γ symmetry.