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Si(100) 영역에 BF2와 As을 이온주입[에너지:(30, 50)keV, 주입량:(5×1014, 5×1015)㎝-2]하고 Co(150Å)/Ti(50Å) 이중막을 진공 증착하여 RTA-silicidation과 후속열처리를 통해 Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 접합을 형성하였다. BF2(30keV)와 As(50keV)을 5×1015㎝-2의 도즈(dose)로 이온주입하고 Co/Ti 두께를 150Å/50Å로 하여 제작된 접합의 경우 실리사이드 층을 갖는 영역의 면저항은 각각 약 3.6Ω/□, 3.8Ω/□로, 실리사이드 두께는 약 600Å로 나타났다. 실험에서 얻어진 Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 접합은 후속열처리(850℃/30분)에 의한 열적 응집현상과 면저항 값의 변화를 보이지 않았으며 비교적 양호한 상태를 유지하였다.


Co/Ti bilayer silicide contact was formed by ion implantation of BF2 and As[energy:(30, 50)keV, dose:(5×1014, 5×1015)㎝-2] onto the Si (100) region and by RTA-silicidation and post annealing of the evaporated Co(150Å)/Ti(50Å) double layer. The sheet resistances of the silicided regions of the junctions formed by BF2(30keV) and As(50keV) implantation with dose of 5×1015㎝-2 and Co/Ti thickness of 150Å/50Å were about 3.6Ω/□ and 3.8Ω/□. The silicide thicknesses were about 600Å. The fabricated junctions with Co/Ti bilayer silicide contact did not show any agglomeration or variation of sheet resistance value after post annealing at 850℃ for 30 minutes.