초록 close

Si, SiO2, TiN, W2N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180℃에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO2가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H2O2로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.


The nucleation of copper(Cu) with (hfac)Cu(VTMS) oganometallic precursor is investigated for Si, SiO2, TiN, and W2N substrates. As the deposition temperature is increased, the dominant growth mechanism is observed to change from the nucleation of Cu particles to the clustering of Cu nuclei around 180℃, independent of the employed substrates. It is also observed that the cleaning of substrate surfaces with the diluted HF solution improves the selectivity of Cu nucleation between TiN and SiO2 substrates. Dimethyldichlorosilane treatment is found to passivate the surface of TiN substrate, contrary to the generally accepted belief, when the TiN substrate is cleaned by H2O2 solution before the treatment.