초록 close

Shallow trench isolation (STI)을 사용한 nMOSFET의 채널 너비에 따른 hot-carrier 열화 현상을 분석하였다. 채널 너비가 감소함에 따라 hot-carrier 열화가 증가하며 이는 STI 부근의 게이트 산화막 두께가 채널 중간 부분의 산화막 두께에 비하여 크기 때문에 발생하는 현상임을 실험을 통하여 확인하였다. Drain avalanche hot-carrier (DAHC) 및 channel hot-electron (CHE) stress 조건에 의한 interface state 형성을 charge pumping 방법을 통하여 비교하였다.


Channel width dependence of hot-carrier effect in nMOSFET with shallow trench isolation is analyzed. Isub-VG and △ID measurement data show that MOSFETs with narrow channel-width are more susceptible to the hot-carrier degradation than MOSFETs with wide channel-width. By analysing Isub/ID, linear ID-VG characteristics, thicker oxide-thickness at the STI edge is identified as the reason for the channel-width dependent hot-carrier degradation. Using the charge-pumping method, Nit generation due to the drain avalanche hot-carrier (DAHC) and channel hot-electron (CHE) stress are compared