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본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 mA/mm의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/mm의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 GHz에서 2.91 dB의 S21 이득과 11.42 dB의 MAG를 얻었으며, 전류이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 GHz와 150 GHz였다.


In this paper, we have fabricated pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) with a 0.2 ㎛ wide-head T-shaped gate using electron beam lithography by a dose split method. To make the T-shape gate with gate length of 0.2 ㎛ and gate head size of 1.3 ㎛, we have used triple layer resist structure of PMMA / P(MMA-MAA) / PMMA. The DC characteristics of PHEMT, which has 0.2 ㎛ of gate length, 80 ㎛ of unit gate width and 4 gate fingers, are drain current density of 323 mA/mm and maximum transconductance 232 mS/mm at Vgs = -1.2 V and Vds = 3 V. The RF characteristics of the same device are 2.91 dB of S21 gain and 11.42 dB of MAG at 40 GHz. The current gain cut-off frequency is 63 GHz and maximum oscillation frequency is 150 GHz, respectively.