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본 논문에서는 PECVD 장비를 이용하여 PHEMT 소자의 passivation 막으로 사용되는 Si3N4 박막의 특성을 최적화하고, 0.25 ㎛급 PHEMT 제작에 적용하였다. 제작된 PHEMT(60 ㎛×2 fingers)의 소자 특성을 측정한 결과, passivation 후 드레인 포화전류와 최대 전달 컨덕턴스는 passivation 전보다 각각 2.7% 와 3% 씩 증가하였으며, 전류이득 차단 주파수는 53 GHz, 최대 공진 주파수는 105 GHz 였다.


In this paper, high quality silicon nitride film is achieved using Plasma Enhanced Chemical Deposition(PECVD) system, and applied in passivating PHEMT's. Passivated PHEMT's(60 ㎛×2 fingers) showed an increase of 2.7 % and 3 % in the drain saturation current and the maximum transconductance, respectively. The current gain cut-off frequency of 53 GHz and maximum oscillation frequency of 105 GHz were obtained from the fabricated PHEMT's.