초록 close

산화인듐(ITO)박막은 대기압 저온 플라스마에 의해 식각이 가능하다는 것을 확인했다. 식각은 수소유량 4 sccm에서 가장 깊게 발생하여, 120Å/min를 나타내었다. 식각속도는 Hα*의 발광강도와 대응하였다. ITO 박막의 식각 메커니즘은 Hα*에 의해 환원이 된후, 남게 된 금속 화합물은 CH*과 반응하여 기판으로부터 이탈한다고 생각된다. 식각은 식각시간 50초 이상에서부터, 기판온도145℃ 이상부터 발생하기 시작하였다. 활성화 에너지는 Arrehenius plots으로부터 0.16eV(3.75Kcal/mole)를 얻었다


It is confirmed that the ITO(Indium Tin Oxide) thin films can be etched by low-temperature plasma at atmospheric pressure. The etching happened deepest at a hydrogen flow rate of 4 sccm, and the etch rate was 120Å/ min. The etching speed corresponded to the Hα* emission intensity. The etching mechanism of the ITO thin films is as follows; thin films were reduced by Hα*, and the metal compound residues were detached from the substrate by reacting on the CH*. The etching was started after etching time of initial 50 sec and above the threshold temperature of 145 ℃. The activation energy of 0.16 eV(3.75 Kcal/mole) was obtained from the Arrehenius plots.