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본 논문에서는 소스/드레인 및 게이트의 불순물에 따른 실리사이드의 의존성을 면저항과 단면 특성 등의 분석을 통하여 연구하였다. 급속 열처리 후에는 As, P, BF2, B11 등과 같은 불순물에 대한 먼저항의 차이가 거의 나지 않았다. 하지만 실리사이드 형성 후의 고온 열처리시에 그 특성이 매우 크게 변화하였다. BF2를 주입한 시편에서의 특성이 가장 좋게 나타난 반면, As를 주입한 실리사이드의 특성이 가장 열화되었다. BF2를 주입한 시편에서의 실리사이드 특성 향상은 flourine에 의한 니켈의 확산 방지 때문인 것으로 여겨진다. 그러므로 실리사이드의 성능 향상을 위해 Ni의 확산을 방지시키는 것이 매우 필요하다.


In this paper, the dependence of silicide properties such as sheet resistance and cross-sectional profile on the dopants for source/drain and gate has been characterized. There was little difference of sheet resistance among the dopants such as As, P, BF2 and B11 just after formation of NiSi using RTP (Rapid Thermal Process). However, the silicide properties showed strong dependence on the dopants when thermal treatment was applied after silicidation. BF2 implanted silicon showed the most stable property, while As implanted one showed the worst. The main reason of the excellent property of BF2 sample is believed to be the retardation of Ni diffusion by the flourine. Therefore, retardation of Ni diffusion is highly desirable for high performance Ni-silicide technology.