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C-V 방법은 소형화된 MOSFET에서 effective channel length(Leff)를 추출하기 위한 방법 중 한가지이다. 이 방법은 critical gate bias point에서 channel length에 영향을 받지 않는 extrinsic overlap 영역의 길이( L)를 구하여 Leff를 추출하게 된다. 본 논문에서는 서로 다른 두 개의 C-V 방법에 대해 실험을 수행하였다. 그리고 실험으로 추출한 값과 2차원 소자 시뮬레이터의 결과를 비교하여 C-V 방법의 정확도를 분석하였다.


C-V method is a means to determine the effective channel length for miniaturized MOSFET's. This method achieves Leff by extracting a unique channel length independent extrinsic overlap length( L) at a critical gate bias point. In this paper, we conducted an experiment on two different C-V methods. Leff extracted from experiment is compared with Leff simulated from a two-dimensional (2-D) device simulator, and the accuracy of C-V method for Leff extraction is analyzed.