초록 close

본 논문에서는 대면적, 고화질 TFT-LCD 개발 및 제작을 위해 전기적인 플리커(flicker)를 정량적으로 정의하고, 비정질 실리콘(a-Si:H) TFT와 SMC(silicide mediated crystallization), ELA(excimer laser annealed) 및 LBT(counter-doped lateral body terminal) 방법으로 제작된 다결정 실리콘(poly-Si) TFT들에 대하여 40"UXGA 급 TFT-LCD 어레이(array)에서의 플리커 현상을 분석 비교하였다. 플리커 현상은 충전 시간, 킥백(kick-back) 전압 및 누설 전류에 의해 기인하는데, 이러한 각 원인이 세 가지 TFT 각각의 경우에 어느 정도 플리커에 영향을 끼치는 지를 정량적으로 분석하였다. 또한, 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이인 경우, 비정질 실리콘에 비해 큰 누설 전류 때문에 플리커를 최소화할 수 있도록 낮은 레벨의 게이트 전압을 설정해야 한다는 것을 정량적으로 보였다.


In this paper, we present results of the comparative analysis of the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD and a-Si:H TFT-LCD arrays for the development and manufacturing of wide-area and high-quality TFT-LCD displays. We used four different types of TFTs; a-Si:H TFT, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT, silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and counter-doped lateral body terminal (LBT) poly-Si TFT. We defined the electrical quantity of the flicker so that we could compare the flickers quantitatively for four different 40" UXGA TFT-LCDs. We identify three factors contributing to the flicker, such as charging time, kickback voltage and leakage current, and analyze how much each of three factors give rise to the flicker in the different TFT-LCD arrays. In addition, we suggest and show that, in the case of the poly-Si TFT-LCD arrays, the low-level (minimum) gate voltages should be carefully chosen to minimize the flicker because of their larger leakage currents compared with a-Si TFT-LCD arrays.