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유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 사파이어 기판에 AlGaN/n+-GaN 구조와 AlGaN/ AlGaN interlayer/n+-GaN 구조로 성장시킨 AlGaN 층을 이용하여 쇼트키형 자외선 수광소자를 제작하였다. 성장층은 약 1018의 캐리어 농도와 각각 236과 269 cm2/Vs의 이동도를 가진다. 메사구조를 형성하기 위해 ICP 장비로 식각한 후, Si3N4로 절연한 뒤 Ti/Al/Ni/Au와 Pt를 이용하여 저항성 전극 및 쇼트키 전극을 형성하였다. 그리고 interlayer를 갖는 Pt/Al0.33Ga0.67N의 전기적 특성은 -5 V에서 1 ㎁의 낮은 누설전류를 보였고, interlayer가 없는 Pt/Al0.33Ga0.67N은 0.1 ㎂로 나타났다. 광측정 결과, interlayer를 갖는 Pt/Al0.33Ga0.63N 쇼트키 수광소자는 차단파장이 약 300 ㎚이며, 광응답도는 280 ㎚에서 0.15 A/W, 그리고 자외선 대 가시광선 제거비는 1.5×104로 우수한 반응특성을 보였다.


Schottky type Al0.33Ga0.67N ultraviolet photodetectors were fabricated on the MOCVD grown AlGaN/n+-GaN and AlGaN/AlGaN interlayer/n+-GaN structures. The grown layers have the carrier concentrations of ~1018, and the mobilities were 236 and 269 cm2/Vs, respectively. After mesa etching by ICP etching system, the Si3N4 layer was deposited for passivation between the contacts and Ti/Al/Ni/Au and Pt were deposited for ohmic and Schottky contact, respectively. The fabricated Pt/Al0.33Ga0.67N Schottky diode revealed a leakage current of 1 ㎁ for samples with interlayer and 0.1 ㎂ for samples without interlayer at a reverse bias of -5 V. In optical measurement, the Pt/Al0.33Ga0.67N diode with interlayer showed a cut-off wavelength of 300 ㎚, a prominent responsivity of 0.15 A/W at 280 ㎚ and a UV-visible extinction ratio of 1.5×104.