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일반적으로 전자현미경에 계기상 나타내는 가속전압에 의한 전자 빔의 파장은 실재로 시료 위에 입사 되는 빔의 파장 값과는 다를 수 있다. 그러므로 적어도 한번은 계기상 나타난 전압에 대한 파장 값을 측정 할 필요가 있다. 특히 QCBED 기법에서는 가능한 한 정확한 파장 값의 결정이 요구된다.본 논문에서는 알려진 결정시료의 LACBED 패턴들로부터 정확하게 이 파장을 측정하는 간단한 방법을 제시한다. 이 방법은 이미 보고된 Kikuchi 패턴을 이용하는 기법과 유사하게 LACBED 패턴에서 같은 평면에 있지 않은 3개의 회절벡터에 의한 회절선이 거의 같은 점을 교차할 경우를 이용한다. 이 방법 적용 실험 예로써 알루미늄 결정시료를 사용하여 JEM2010전자현미경의 계기상 200 kv 가속전압에 대한 파장 값이 측정되었다. 측정된 파장과 대응되는 가속전압은 0.002496(3) nm 과 201.5 0.4 kv 이며 파장 값은 0.12 %의 불 확실성을 갖고 있다..


The operating accelerating voltage in the electron microscopy may differ from the nominal voltage specified by the manufacture. Thus it is necessary, at least once, to determine the wavelength of electron beam for the nominal accelerating voltage. Particularly in QCBED technique, the wavelength of the incident electron beam on a specimen must be determined as accurately as possible.In this paper we present a simple method to determine accurately the wavelength of electrons from LACBED patterns of a known crystalline materials, which is analogous to a method based on Kikuchi patterns reported previously. This method is to utilize three diffraction lines not belonging to the same zone, which nearly intersect at the same point. For an application of the method, the wavelength of electrons for the 200 kv nominal acceleration voltage of JEM2010 is determined to be 0.002496(3) nm (201.5 0.4 kv) with an uncertainty of 0.12%.