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본 연구에서 우리는 습식 산화 분위기에서 vapor-solid process를 통해 금속 촉매를 사용하지 않고도 낮은 온도에서 산화 인듐 나노선을 성공적으로 합성하였다. XRD 결과는 합성된 산화 인듐 나노선이 입방정 구조를 갖는다는 것을 보여준다. 이러한 나노선들은 두 가지 형태를 갖는다. 하나는 줄기에 약 500 nm 크기의 각진 나노입자가 형성된 형태이고 다른 하나는 나노입자가 형성되지 않은 형태이다. 나노선의 길이는 수 마이크로미터 범위이고, 두께는 약 10 nm에서 250 nm 범위이다. 대부분의 나노선의 성장 방향은 <100> 방향이다. 나노입자를 포함한 나노선은 <110> 방향으로 자랐다는 것이 발견되었으며, 이러한 성장 방향은 이전의 문헌에서 보고되지 않은 새로운 결과이다. 따라서 본 연구에서 사용된 습식 산화 분위기에서의 나노선 합성법을 다른 여러 산화물의 나노선 합성에 응용한다면 낮은 온도에서 새로운 형태 및 성장 방향을 갖는 나노선을 얻을 수 있을 것으로 예상된다.


Indium oxide (In2O3) nanowires were successfully synthesized by a simple reaction in a wet oxidizing environment at low temperature without metal catalyst. The nanowires were characterized by an x-ray diffraction (XRD), a scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometry (EDS), and a transmission electron microscopy (TEM). It was shown that the In2O3 nanowires were two types of morphology, uniform nanowires and nanowires containing In2O3 nanoparticles in its stem. It was found that lengths of the nanowires were ranges of several micrometers and their diameters were around 10-250 nm. The growth of the nanowires was investigated and their growth mechanism is also discussed.