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수평 전기로에서 CdIn2Te4 다결정을 합성하여 Bridgeman 법으로 3단 수직 전기로에서 CdIn2Te4 단결정을 성장하였다. 성장된 결정의 특성은 x선 회절과 광발광 측정으로 조사하였다. CdIn2Te4 단결정 시료는 Laue에 배면 반사법에 의해서 (001)면으로 성장되었음을 확인하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 8.61 1016 /cm3, 242 cm2/V·s였다. CdIn2Te4 단결정의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 1.4750eV - (7.69 10-3 eV/K)T2/(T+2147 K)임을 확인하였다.막 성장된(as-grown) CdIn2Te4 단결정 시료를 Cd-, In-, Te 분위기에서 열처리하여 10K에서 photoluminescence(PL) spectra를 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. CdIn2Te4 단결정내에서 내재된 결함들의 기원을 10 K에서 광발광을 측정하여 연구되었다. PL 측정으로 부터 얻어진 VTe,, Cdint, VCd, 그리고 Teint는 주개와 받개로 분류되어졌다. CdIn2Te4 단결정 시료를 Cd 분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었고, In 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL spectra를 보이고 있어서 I2, I1 및 S.A emission에 의한 PL peak에는 영향을 주지 않는다고 보았다.


A stoichiometric mixture for CdIn2Te4 single crystal was prepared from horizontal electric furnace. The CdIn2Te4 single crystal was grown in the three-stage vertical electric furnace by using Bridgeman method. The quality of the grown crystal has been investigated by the x-ray diffraction and the photoluminescence measurements. The (001) growth plane of oriented CdIn2Te4 single crystal was confirmed from back-reflection Laue patterns. The carrier density and mobility of CdIn2Te4 single crystal measured with Hall effect by van der Pauw method are 8.61 1016 cm-3 and 242 cm2/V·s at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CdIn2Te4 single crystal obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 1.4750 eV - (7.69 10-3 eV)T2/(T+2147). After the as-grown CdIn2Te4 single crystal was annealed in Cd-, In-, and Te-atmospheres, the origin of point defects of CdIn2Te4 single crystal has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of VTe,, Cdint, and VCd, Teint obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the Cd-atmosphere converted CdIn2Te4 single crystal to an optical n-type. Also, we confirmed that In in CdIn2Te4 did not form the native defects because In in CdIn2Te4 single crystal existed in the form of stable bonds.