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CMOS 공정을 이용한 윤곽검출 시각칩 설계시, 넓은 범위의 광강도에 대해서 이미지의 특징검출을 위하여 국소 광적응기능이 필요하다. 국소 광적응이란 망막내 수평억제(lateral inhibition)기능을 행하는 수평세포를 이용하여 입력 광강도에 응답하는 국소적인 수평세포층의 수용야 크기를 변화시켜 동일한 출력레벨을 얻는 것이다. 따라서, 배경광보다 조금 크거나 아주 큰 입력광의 변화가 있을 때 동일한 출력레벨을 얻을 수 있다. 본 연구에서는, 망막내 수평세포를 p-MOSFET로 구성된 저항성 회로망으로 모델링 및 해석하고, 이를 이용하여 설계된 시각칩의 국소 광적응 메커니즘을 검증하였다.


When a vision chip for edge detection using CMOS process is designed, there is a necesssity to implement local light adaptive-function for detecting distinctive features of an image at a wide range of light intensities. Local light adaptation is to achive the almost same ouput level by changing the size of receptive-fields of the local horizontal cell layers according to input light intensities, based on the lateral inhibitive-function of the horizontal cell. Thus, the almost same output level can be obtained whether input light intensities are much or less larger than background. In this paper, the horizontal cells using a resistive network which consists of p-MOSFETs were modeled and analyzed, and the local light adaptive-mechanism of the designed vision chip using the resistive network was verified.